ساخت نوع جديد حافظه رايانه با قابليت مصرف انرژی کمتر، ايسنا

محققان نوع جديدی از حافظه رايانه‌ای ساخته‌اند که می‌تواند از حافظه‌های تجاری موجود سريع‌تر باشد و از افزاره‌های حافظه فلش توان کمتری مصرف کند.

به گزارش سرويس فناوری ايسنا، در اين فناوری نانوسيم‌های سيليکونی با يک پليمر فروالکتريک ترکيب شده و ماده‌ای ساخته می‌شود که قطبيت آن در نتيجه اعمال يک ميدان الکتريکی تغيير می‌کند و اين ويژگی، ساخت نوع جديدی از ترانزيستور فروالکتريک را ممکن می‌کند.

قطبش قابل تغيير اين ترانزيستور فروالکتريک به عنوان صفر يا يک خوانده می‌شود. اين فناوری «حافظه با دسترسی تصادفی ترانزيستور فروالکتريک» يا به اختصار «FeTRAM» ناميده می‌شود.

در حافظه «FeTRAM»‌ ذخيره اطلاعات به صورت غيرفرار است؛ بدين معنی که بعد از خاموش کردن کامپيوتر نيز اطلاعات در اين حافظه باقی می‌مانند. اين افزاره به طور بالقوه ۹۹ درصد کمتر از حافظه فلش انرژی مصرف می‌کند. حافظه فلش يک تراشه ذخيره رايانه‌ای غيرفرار و عمده‌ترين نوع حافظه موجود در بازار است. «ساپتارشی داس» از دانشگاه «پردو» و يکی از اين محققان می‌گويد: در حال حاضر اين افزاره توان بيشتری مصرف می‌کند، زيرا هنوز به طور مناسب افزايش مقياس داده نشده است.

حافظه «FeTRAM» سه تابع اساسی از حافظه رايانه‌ای را انجام می‌دهد؛ خواندن و نوشتن اطلاعات و نگهداری آنها برای مدت زمان طولانی.

«داس» گفت: شما به نگهداری حافظه برای طولانی‌ترين زمان ممکن از جمله ۱۰ تا ۲۰ سال نياز داريد و بايد قادر به خواندن و نوشتن اطلاعات برای بيشترين دفعات ممکن باشيد. همچنين لپ‌تاپ شما برای اين‌که زياد گرم نشود، بايد توان کمی مصرف کند.

اين فناوری جديد همچنين با فرايندهای ساخت صنعتی برای نيمه‌رساناهای اکسيد فلزی تکميلی (CMOS) استفاده شده برای توليد تراشه‌های رايانه‌ای، سازگار است. اين حافظه برای اين‌که جايگزين سيستم‌های حافظه مرسوم شود، توان بالقوه‌ای دارد.

حافظه «FeTRAM» مشابه با حافظه با دسترسی تصادفی فروالکتريک مدرن (FeRAM) است. حافظه «FeRAM»‌ به صورت تجاری استفاده می‌شود، اما قسمت نسبتا کوچکی از کل بازار نيمه‌رسانا را به خود اختصاص داده است. هر دوی اين حافظه‌ها برای ذخيره اطلاعات به شکل غيرفرار از مواد فروالکتريک استفاده می‌کنند، اما فناوری جديد برخلاف «FeRAM»، امکان بازخواندن غيرمخرب را ممکن می‌کند و اين بدين معنی است که اطلاعات را می‌توان بدون از دست رفتن خواند.

اين بازخواندن غيرمخرب به وسيله ذخيره اطلاعات با استفاده از يک ترانزيستور فروالکتريک در عوض يک خازن که در حافظه «FeRAM» استفاده می‌شود، امکان‌پذير است.

اين محققان، جزئيات نتايج کار تحقيقاتی خود را در مجله‌ی «Nano Letters» منتشر کرده‌اند.